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關于陽泉油浸式變壓器驅動保護的講解
作者:陽泉變壓器廠 日期:2019-04-13 人氣:955
器是一種常用的電流轉換陽泉油浸式變壓器,它可以將公共轉換為所需要的交流陽泉油浸式變壓器。在器的H橋中,有時需要將電路中的MOS管替換為IGBT,但在更換之后,很可能發生啟動。
為了避免這種情況,我們可以從峰值電流保護入手,做好驅動和保護工作,確保IGBT不會爆炸。本文詳細介紹了該橋H型IGBT單管驅動保護的方法,希望能對您有所幫助。
H橋電路,稱為陽泉油浸式變壓器,也可以稱為器的后級。在本設計中,需要增加IGBT,與IGBT單管相同的電流容量,比MOSFET相同的電流容量更脆弱,也就是說,在器H橋中,相同的電流容量,MOSFET高于IGBT。
也許有些朋友認為IrpP460、20A/500V MOSFET和SGH40N60UFD 40A/600 V IGBT應該足以防止爆炸,但實際情況是負載突然加載,或負載突然被吊銷后,然后機器就炸機。
經過不斷的實踐,實際上,只要遵循一條具體的規則,就可以防止炸機的發生。也就是說,使用峰值電流保護措施可以使IGBT不爆炸,我們看到了這個問題的幾個部分:驅動電路、電流采集電路、保護機制。
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