陽泉變壓器廠

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作者：陽泉變壓器廠日期：2019-04-13 人氣：955

　　器是一種常用的電流轉換陽泉油浸式變壓器，它可以將公共轉換為所需要的交流陽泉油浸式變壓器。在器的H橋中，有時需要將電路中的MOS管替換為IGBT，但在更換之后，很可能發生啟動。

　　為了避免這種情況，我們可以從峰值電流保護入手，做好驅動和保護工作，確保IGBT不會爆炸。本文詳細介紹了該橋H型IGBT單管驅動保護的方法，希望能對您有所幫助。

　　H橋電路，稱為陽泉油浸式變壓器，也可以稱為器的后級。在本設計中，需要增加IGBT，與IGBT單管相同的電流容量，比MOSFET相同的電流容量更脆弱，也就是說，在器H橋中，相同的電流容量，MOSFET高于IGBT。

　　也許有些朋友認為IrpP460、20A/500V MOSFET和SGH40N60UFD 40A/600 V IGBT應該足以防止爆炸，但實際情況是負載突然加載，或負載突然被吊銷后，然后機器就炸機。

　　經過不斷的實踐，實際上，只要遵循一條具體的規則，就可以防止炸機的發生。也就是說，使用峰值電流保護措施可以使IGBT不爆炸，我們看到了這個問題的幾個部分：驅動電路、電流采集電路、保護機制。